型号:SI5406CDC-T1-GE3 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:8-SMD,扁平引线 | 描述:MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8 |
系列 | - |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 12V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 6A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 20 毫欧 @ 6.5A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 32nC @ 8V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1100pF @ 6V |
功率_最大 | 5.7W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
供应商设备封装 | 1206-8 ChipFET? |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
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